08 Апреля 2021
04 Марта 2019
История компании
- 24 мая 2007 – регистрация компании ООО «Лабфер»
- 2008 г. – продажи первых преобразователей длины волны лазерного излучения.
- 2009 и 2010 гг. – выполнение проектов по программам «Старт» и «Развитие наноиндустрии Свердловской области на 2008-2010 гг.»
- Апрель 2009 г. – получена Золотая медаль 37го Международного салона изобретений, новой техники и технологий в Женеве за способ формирования периодической доменной структуры (совместно с УрГУ им. А.М. Горького).
- Июнь 2009 г. – участие в выставке Laser world of Photonics в Мюнхене способствовало выходу продукции компании «Лабфер» на международный рынок.
- Октябрь 2009 г. – получен патент на изобретение «Способ формирования периодической доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика», приоритет от 21 мая 2008 года (совместно с УрГУ им. А.М. Горького).
- Февраль 2010 г. – получена Золотая медаль V Уральской венчурной выставки-ярмарки «Инновации 2010»(Екатеринбург)
- Ноябрь 2010 г. – интерес к экспонату компании «Лабфер» в рамках выставки «Роснанотех-2010» получил резонанс в российских СМИ, что способствовало заключению ряда важных контрактов с российскими фирмами – производителями лазеров и лазерных систем.
- 2011 г. – расширен ассортимент продукции засчет аксессуаров – термоконтроллеров и термостатов для преобразователей.
- Февраль 2011 г. – получен патент на изобретение «Способ формирования периодической доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика», приоритет от 29 сентября 2009 г.
- Апрель 2011 г. – компания удостоена Золотой медали 39го Международного салона изобретений, новой техники и технологий в Женеве за свою уникальную технологию формирования периодической доменной структуры.
- Май 2011 г. - заключен договор с Министерством промышленности и науки Свердловской области на выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в сфере нанотехнологий.
- Январь 2012 г. - получен российский патент на изобретение "Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика". Таким образом, число патентов, полученных компанией, достигло трёх.
- Июнь 2013 г. - получен российский патент на изобретение "Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой"