Основным продуктом ООО «Лабфер» являются недорогие высокоэффективные элементы для нелинейно-оптического преобразования длины волны лазерного излучения на основе кристаллов ниобата лития,  в том числе легированных MgO, с регулярной доменной структурой (PPMgOLN и PPLN), а также кристаллов танталата лития, легированных MgO (PPMgOLT).

 

Основные особенности данных преобразователей длины волны:

Спецификации PPMgOLN, PPLN, PPMgOLT

1. Основные материалы

• Легированный MgO конгруэнтный ниобат лития

• Легированный MgO конгруэнтный танталат лития 

2. Размеры кристаллов

• Длина: от 0.3 до 50 мм
• Ширина: от 1 до 50 мм
• Толщина: от 0.5 до 3 мм

3. Регулярные доменные структуры

• Период: от 4 до 30 мкм(*)

4. Основные применения

1) Генерация второй гармоники

• Типичные преобразования: 1064→532 нм, 1178→589 нм, 1080→540 нм, 1246→623 нм, 1550→775 нм
• Температура синхронизма: от 30 до 80°С (по выбору заказчика)
• Перестройка рабочей длины волны:
  • в узком диапазоне: температурная
  • в широком диапазоне: перемещением кристалла с веерной регулярной доменной структурой
• Максимальная выходная мощность излучения второй гармоники:
  • для PPMgOLN: до 2 Вт
  • для PPMgOLT: до 12 Вт
• Эффективность преобразования(**):
  • для непрерывной накачки: 1.2 %/Вт
  • для импульсной накачки: 60-70%

2) Параметрическая генерация света

• Типичная длина волны лазера накачки: 1064 нм, 1053 нм
• Диапазон выходных длин волн (сигнальной и холостой): от 1.1 до 4.5 мкм
• Температура синхронизма: от 30 до 80°С (по выбору заказчика)
• Перестройка выходной длины волны:
  • в узком диапазоне: температурная
  • в широком диапазоне (от 1.5 до 4.5 мкм): перемещением кристалла с веерной регулярной доменной структурой

• Максимальная энергия импульса преобразованного излучения (сигнальная+холостая волна): до 500 мДж

5. Механическая обработка

• Полировка входных и выходных торцов до оптического качества

6. Просветляющие покрытия

• Антиотражающие (AR) покрытия на длину волны накачки для генерации второй гармоники
• Покрытия на три длины волны (накачки, сигнальной и холостой) для параметрической генерации света

Возможно изготовление кристаллов с размерами, длиной волны излучения и рабочей температурой. - по выбору заказчика

 

(*) Возможно изготовление кристаллов с периодом структуры более 30 мкм по запросу заказчика. Для кристаллов с толщиной более 1 мм минимальный период 15 мкм.

(**) Эффективность преобразования зависит от длины кристалла и параметров лазера накачки. Для получения более точной информации по ожидаемой эффективности преобразования для Вашей задачи, пожалуйста, свяжитесь с нами.

 

 

Компания Лабфер производит также аксессуары для кристаллов.